长鑫科技第五代技术平台量产 存储密度、功耗、成本控制均提升
【财新网】 9月20日， A股 市值王、中国唯一内存IDM（垂直整合制造工厂） 长鑫科技 （688825.SH）在安徽合肥举办的世界制造业大会上宣布，其第五代DRAM（内存）技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。长鑫称，G5平台每片晶圆产出裸片数量较上代平台增加至少50%，存储密度、功耗、成本控制上均有所提升。
长鑫介绍，G5平台通过创新的四重曝光技术突破单次光刻的分辨率限制，把内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米。作为参考，2023年5月，国际存储龙头三星宣布量产第五代12纳米工艺内存产品，2026年2月，三星公布，基于第六代工艺的HBM4（第四代高带宽存储）开始量产，但并未公布其具体制程节点。SK海力士和美光第六代技术平台也已开始量产出货。
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